삼성전자 반도체연구소는 메모리 및 비메모리반도체의 차세대 소자 및 공정을 아우르는 연구소로서 한 발 앞선 기술 개발을 통한 기술 선도를 실현하고 세계 초 일류 Si Technology Leader로 도약하기 위해 우수 인재를 채용코자 하오니 많은 관심과 지원 바랍니다.
모집 부문
□ Advanced Process & Module Development (DRAM, Flash, Logic, etc.)
- Photolithography (e-beam, EUV, OPC/RET, Photo Resist Materials), Dry Etch,
Cleaning & CMP, Diffusion, Ion Implantation, Metallization, Metrology & Inspection, etc.
- Device Isolation, Transistor, Capacitor, Dielectric
- High-K/Metal Gate, SiO2/SiON Gate Dielectric
- Low-K, Interconnect, etc.
※ OPC : Optical Proximity Correction (Comput. Litho), MPC : Mask Process Correction
□ FEOL/BEOL Process Integration (DRAM / Flash / Logic, etc.)
□ New Memory : PRAM, STT-MRAM, ReRAM, etc.
□ TCAD/ECAD
- Process & Device/Material Modeling, Circuit Compact/Reliability Modeling
- Circuit Simulator Development
- System-Level Modeling / Simulation, Virtual Platform, HW / SW Co-Design
- Simics/CoWare/SOC Designer UserMemory Controller/Memory Architecture/SSD Research Experience
□ Advanced CMOS Image Sensor (CIS) Development
- Pixel Design, Image Signal Processing, Mixed IC Design, Analog/Desital Design
- CIS Process Development
□ Package Development
- Wire Bonding & Flip Chip Package / Wafer Level Package (WLP/TSV)
- Thinning 및 PKG/Chip Warpage Control, Signal/Power/Thermal
- Material Development & Failure Analysis
※ 전 공 : 전기전자, 물리/광학, 화학/화공, 재료/금속, 기계, 산업공학, 항공우주공학 etc.
※ 근무지 : 삼성전자(주) 화성캠퍼스 (경기도 화성시 소재)
지원 자격
□ 학사 학위 소지자의 경우 최소 4년이상의 관련 부문 경력 보유자
□ 석사 학위 소지자의 경우 최소 2년이상의 관련 부문 경력 보유자
□ 박사 학위 소지자 및 2012년 이내 박사학위 취득예정자
□ 군필 및 면제자, 해외 여행에 결격 사유가 없는 자
지원 방법 및 기간
□ 지원 방법 : 입사지원서 작성 후 메일 (hm0122.park@samsung.com)로 접수 바랍니다.
□ 지원 기간 : 2011년 10월 27일(목) ~ 2011년 11월 7일(월) 23:50(한국 기준)까지
전형 절차
지원서작성 => 지원서검토 => 면접전형 => 건강검진 => 최종합격
기 타
□ 이력서 검토 후 서류 전형 결과는 E-mail로 개별 발송될 예정입니다. 합격자에 限하여
11월 중순 Conference Call interview진행 예정이며, 합격자의 경우 12월 초 진행되는 현지 인성면접을
진행할 예정입니다. 자세한 일정은 서류 전형 결과 통보 시 안내될 예정입니다.
□ 접수된 서류는 일체 반환하지 않으며, 허위사실이 있는 경우 입사가 취소됩니다.
□ 문의처 : 삼성전자 반도체연구소 박현민대리 (+82-31-825-9580, hm0122.park@samsung.com )
반도체연구소_채용공고문
반도체연구소 입사지원서 양식
모집 부문
□ Advanced Process & Module Development (DRAM, Flash, Logic, etc.)
- Photolithography (e-beam, EUV, OPC/RET, Photo Resist Materials), Dry Etch,
Cleaning & CMP, Diffusion, Ion Implantation, Metallization, Metrology & Inspection, etc.
- Device Isolation, Transistor, Capacitor, Dielectric
- High-K/Metal Gate, SiO2/SiON Gate Dielectric
- Low-K, Interconnect, etc.
※ OPC : Optical Proximity Correction (Comput. Litho), MPC : Mask Process Correction
□ FEOL/BEOL Process Integration (DRAM / Flash / Logic, etc.)
□ New Memory : PRAM, STT-MRAM, ReRAM, etc.
□ TCAD/ECAD
- Process & Device/Material Modeling, Circuit Compact/Reliability Modeling
- Circuit Simulator Development
- System-Level Modeling / Simulation, Virtual Platform, HW / SW Co-Design
- Simics/CoWare/SOC Designer UserMemory Controller/Memory Architecture/SSD Research Experience
□ Advanced CMOS Image Sensor (CIS) Development
- Pixel Design, Image Signal Processing, Mixed IC Design, Analog/Desital Design
- CIS Process Development
□ Package Development
- Wire Bonding & Flip Chip Package / Wafer Level Package (WLP/TSV)
- Thinning 및 PKG/Chip Warpage Control, Signal/Power/Thermal
- Material Development & Failure Analysis
※ 전 공 : 전기전자, 물리/광학, 화학/화공, 재료/금속, 기계, 산업공학, 항공우주공학 etc.
※ 근무지 : 삼성전자(주) 화성캠퍼스 (경기도 화성시 소재)
지원 자격
□ 학사 학위 소지자의 경우 최소 4년이상의 관련 부문 경력 보유자
□ 석사 학위 소지자의 경우 최소 2년이상의 관련 부문 경력 보유자
□ 박사 학위 소지자 및 2012년 이내 박사학위 취득예정자
□ 군필 및 면제자, 해외 여행에 결격 사유가 없는 자
지원 방법 및 기간
□ 지원 방법 : 입사지원서 작성 후 메일 (hm0122.park@samsung.com)로 접수 바랍니다.
□ 지원 기간 : 2011년 10월 27일(목) ~ 2011년 11월 7일(월) 23:50(한국 기준)까지
전형 절차
지원서작성 => 지원서검토 => 면접전형 => 건강검진 => 최종합격
기 타
□ 이력서 검토 후 서류 전형 결과는 E-mail로 개별 발송될 예정입니다. 합격자에 限하여
11월 중순 Conference Call interview진행 예정이며, 합격자의 경우 12월 초 진행되는 현지 인성면접을
진행할 예정입니다. 자세한 일정은 서류 전형 결과 통보 시 안내될 예정입니다.
□ 접수된 서류는 일체 반환하지 않으며, 허위사실이 있는 경우 입사가 취소됩니다.
□ 문의처 : 삼성전자 반도체연구소 박현민대리 (+82-31-825-9580, hm0122.park@samsung.com )
반도체연구소_채용공고문
반도체연구소 입사지원서 양식
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